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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NGTD20T120F2WP +BOM

IGBT 1200V 20A FS2 bare die

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NGTD20T120F2WP
Datenblatt:

NGTD20T120F2WP Datenblatt (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

PLRNG
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP Allgemeine Beschreibung

Featuring a robust construction and cost-effective design, the NGTD20T120F2WP IGBT is a standout choice for engineers looking to enhance the performance of their switching applications. This transistor's Field Stop II Trench technology sets it apart from traditional IGBTs, providing improved performance and reliability in a variety of demanding environments. Whether you're working with high-power electronics or precision machinery, this IGBT delivers the low on-state voltage and minimal switching loss needed to keep your operations running smoothly

Hauptmerkmale

High Temperature Operation Possible
Low Current Consumption Ensured
Surge Protection up to 3kV

Anwendung

Renewable Resources
Mobile Power Solution
Remote Off-Grid Systems

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Case Outline	-
MSL Temp (°C)	0	Container Type	PLRNG

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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