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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NGTD20T120F2SWK +BOM

IGBT 1200V 20A FS2 bare die

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NGTD20T120F2SWK
Datenblatt:

NGTD20T120F2SWK Datenblatt (PDF)
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

PLRNG
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NGTD20T120F2SWK

NGTD20T120F2SWK Allgemeine Beschreibung

Elevate your electronic circuits with the NGTD20T120F2SWK Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), a cutting-edge component engineered for superior switching performance. Its robust Field Stop II Trench construction sets it apart from conventional IGBTs, delivering exceptional efficiency and cost-effectiveness. Say goodbye to excessive on-state voltage and switching loss - this IGBT offers a seamless solution for applications requiring high levels of precision and reliability. Upgrade your systems with the NGTD20T120F2SWK and experience seamless operation and improved power management like never before

Hauptmerkmale

Superior Surge Protection
Optimized Gate Drive Design
High-Current Capability
Low Saturation Current
Fast Turn-On Time
Improved Radiation Hardness

Anwendung

Energy Storage Systems
Inverter Maintenance Services
Alternative Energy Consultation

Spezifikationen

Status	Last Shipments	Case Outline	-
MSL Temp (°C)	0	Container Type	PLRNG

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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