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NTD3055-094T4G +BOM

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.

NTD3055-094T4G Allgemeine Beschreibung

The Metal-oxide Semiconductor FET design of the NTD3055-094T4G provides enhanced switching capabilities and high power efficiency, making it a valuable component for energy-efficient designs. Its compact size and robust construction further enhance its versatility and usability in different electronic systems

NTD3055-094T4G

Hauptmerkmale

  • Enhanced Shock Resistance
  • Better Thermal Efficiency
  • Fewer Vibration Sensitivity
  • Magnetic Shielding Effectiveness
  • Silicone-Based Insulation Material
  • Higher Dielectric Strength

Anwendung

  • Light Dimmers
  • Current Sensors
  • Frequency Converters

Spezifikationen

Source Content uid NTD3055-094T4G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Pin Count 3
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.75 Factory Lead Time 61 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas) 61 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 12 A Drain-source On Resistance-Max 0.094 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.5 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 45 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 40
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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