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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NTD3055L104T4G +BOM

Transistor MOSFET N-channel with 60V and 12A in DPAK package

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

NTD3055L104T4G
Datenblatt:

NTD3055L104T4G Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTD3055L104T4G

NTD3055L104T4G Allgemeine Beschreibung

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 12 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 104 / Gate-Source Voltage V = 15 / Fall Time ns = 40.5 / Rise Time ns = 104 / Turn-OFF Delay Time ns = 19 / Turn-ON Delay Time ns = 9.2 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 48

Hauptmerkmale

Precise Current Sensing
Faster Response Time to Faults
Enhanced Electromagnetic Compatibility
Better Noise Immunity Performance
Simplified System Integration
Improved Power Quality and Reliability

Anwendung

Suitable for motor control
Used in battery management
Industrial automation applications

Spezifikationen

Source Content uid	NTD3055L104T4G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	3
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Factory Lead Time	77 Weeks
Avalanche Energy Rating (Eas)	61 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	12 A	Drain-source On Resistance-Max	0.104 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PSSO-G2
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	48 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	45 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	40	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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