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NTJD1155LT1G SC-88-6 , SC-70-6 , SOT-363-6

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NTJD1155LT1G +BOM

N-Channel MOSFET featuring Level Shifting, designed for 8V and +/-1.3A operations

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

NTJD1155LT1G
Datenblatt:

NTJD1155LT1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

419B-02
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTJD1155LT1G

NTJD1155LT1G Allgemeine Beschreibung

The NTJD1155LT1G does not contain any harmful SVHC substances, ensuring compliance with environmental regulations. It also meets MSL 1 - Unlimited standards, indicating its robustness against moisture sensitivity. Whether used in automotive systems or industrial machinery, this MOSFET offers a reliable and efficient solution for controlling power flow and switching signals

Hauptmerkmale

High Voltage Tolerance
Low Power Consumption
ESD Protected Circuitry
Magnetic Field Compatible
Compact Footprint Package
Data Transfer Enhanced

Anwendung

Energy Efficient Inverter
Low Noise Amplifier
Secure Access Control

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	419B-02	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	3000	ON Target	Y
Channel Polarity	P-Channel	Configuration	Level Shift
V(BR)DSS Min (V)	-8	VGS Max (V)	8
VGS(th) Max (V)	1	ID Max (A)	1.3
PD Max (W)	0.4	RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)	170
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	130	Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)	1.3
Pricing ($/Unit)	$0.1431Sample

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