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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NTJD4001NT1G +BOM

MOSFET 30V 250mA Dual N-Channel

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

NTJD4001NT1G
Datenblatt:

NTJD4001NT1G Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

6
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G Allgemeine Beschreibung

Small Signal MOSFET 30 V, 250 mA, Dual N - Channel, SC - 88

Hauptmerkmale

Low Gate charge for fast switching
Small footprint - 30% smaller than TSOP-6
ESD Protected Gate
RoHS Compliant

Anwendung

Low Side Load Switch
Li-Ion Battery Supplied Devices
Buck Converters
Level Shifts

Spezifikationen

Source Content uid	NTJD4001NT1G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	6
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	62 Weeks	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	0.25 A
Drain-source On Resistance-Max	2.5 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	12 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-G6
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.272 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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