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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NTJD4152PT1G +BOM

Tape and Reel Packaging for NTJD4152PT1G

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

NTJD4152PT1G
Datenblatt:

NTJD4152PT1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

419B-02
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G Allgemeine Beschreibung

The NTJD4152PT1G MOSFET transistor is designed for efficient and reliable performance in electronic circuits. Sporting a dual P channel configuration, it can handle a continuous drain current of -880mA and a drain source voltage of -20V. With an on resistance of 0.215ohm and a test voltage of -4.5V, this transistor operates at a threshold voltage of -1.2V and dissipates power at a rate of 272mW. Housed in an SOT-363 case style with 6 pins for connectivity, this component is suitable for various applications. Operating at a maximum temperature of 150°C, the NTJD4152PT1G meets automotive qualification standards and has a Moisture Sensitivity Level (MSL) of 1, ensuring unlimited floor life. Moreover, this transistor is free from Substances of Very High Concern (SVHC), demonstrating compliance with environmental regulations

Hauptmerkmale

Silicon Carbide MOSFET with Fast Switching
Compact Package for Small Spaces
Economical Design for Cost Savings
Improved Efficiency for Sustainable Energy

Anwendung

Sleek and Stylish
Fast Charging
Versatile Use

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	419B-02	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	3000	ON Target	Y
Channel Polarity	P-Channel	Configuration	Dual
V(BR)DSS Min (V)	-20	VGS Max (V)	12
ID Max (A)	0.88	PD Max (W)	0.272
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)	Q1=Q2=345	RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	Q1=Q2=215
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)	1.3	Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	2.2
Ciss Typ (pF)	155	Pricing ($/Unit)	$0.1121Sample

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