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Siehe Technische Spezifikationen

NTK3139PT1G +BOM

Product NTK3139PT1G is a P-channel MOSFET with a maximum voltage rating of 20V and a current rating of 0

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

NTK3139PT1G
Datenblatt:

NTK3139PT1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

631AA
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTK3139PT1G

NTK3139PT1G Allgemeine Beschreibung

Meet the NTK3139PT1G MOSFET transistor, a versatile component designed for optimal performance in various electronic applications. Featuring a P channel and a maximum voltage rating of -20V, this transistor offers a continuous drain current of 0.78A and an on-resistance of 0.48ohm. The gate-source voltage for on-resistance measurement is -4.5V, while the typical threshold voltage is -1.2V. Housed in a compact SOT-723 case style, this transistor is equipped with surface mount termination for easy installation. With a power dissipation of 0.55W, it can handle a maximum drain-source voltage of 20V effortlessly

Hauptmerkmale

Compact Design for High Efficiency
Low Power Consumption and Fast Switching
High Performance and Reliability Ensured
Silicone Passivation for Enhanced Durability
Flexible Operating Temperature Range
Smart Protection for Overcurrent and Undervoltage

Anwendung

Temperature Control
Audio Amplification
Lighting Solutions

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	631AA	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	4000	ON Target	N
Channel Polarity	P-Channel	Configuration	Single
V(BR)DSS Min (V)	-20	VGS Max (V)	6
VGS(th) Max (V)	1.2	ID Max (A)	0.78
PD Max (W)	0.45	RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)	520
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	380	Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)	2.9
Ciss Typ (pF)	113	Pricing ($/Unit)	$0.0752Sample

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