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Siehe Technische Spezifikationen

NTMFSC0D9N04CL +BOM

Power MOSFET, 40V N Channel __A 0.9m Ohm in Dualcool56 package

Hersteller:

onsemi
Herstellerteil #:

NTMFSC0D9N04CL
Datenblatt:

NTMFSC0D9N04CL Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTMFSC0D9N04CL

NTMFSC0D9N04CL Allgemeine Beschreibung

The NTMFSC0D9N04CL N-Channel MOSFET is a cutting-edge product from ON Semiconductor, utilizing the advanced Power Trench® process to deliver superior performance. Through the innovative combination of silicon and Dual Cool™ package technologies, this MOSFET offers the lowest rDS(on) while maintaining exceptional switching capabilities. The result is a high-performing component that exceeds industry standards and delivers efficient power management

Hauptmerkmale

Top and bottom sided exposed in standard 5x6mm pin-out
Ultra low RDS-on
Reduced capacitances and package inductance

Anwendung

Highly adaptable design
Seamless switching operation
Reliable power distribution

Spezifikationen

Source Content uid	NTMFSC0D9N04CL	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	45 Weeks
Date Of Intro	2020-02-13	Avalanche Energy Rating (Eas)	706 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	40 V	Drain Current-Max (ID)	313 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0013 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	110 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-F5
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	5
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	175 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	167 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	900 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

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