Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

NTMS4177PR2G +BOM

SOIC Packaged MOSFET with 8 Pins

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

NTMS4177PR2G
Datenblatt:

NTMS4177PR2G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

751-07
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTMS4177PR2G

NTMS4177PR2G Allgemeine Beschreibung

The NTMS4177PR2G is a high-performance MOSFET transistor, specifically designed as a P Channel with a maximum continuous drain current of -11.4A and a drain source voltage of -30V. With an on resistance of 0.01ohm and a threshold voltage of -2.5V, this transistor offers optimal performance in a compact SOIC-8 case style. Its power dissipation capability of 2.5W makes it suitable for a wide range of applications, from automotive to industrial settings

Hauptmerkmale

Reduced EMI
Simplified PCB Layout
Compact SOIC-8 Package

Anwendung

NTMS4177PR2G provides efficient power management
Discover the versatility of NTMS4177PR2G
NTMS4177PR2G: Your power solution partner

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	751-07	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	2500	ON Target	Y
Channel Polarity	P-Channel	Configuration	Single
V(BR)DSS Min (V)	-30	VGS Max (V)	20
VGS(th) Max (V)	2.5	ID Max (A)	-11.4
PD Max (W)	1.52	RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	19
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	12	Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)	36
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	29	Ciss Typ (pF)	3100
Pricing ($/Unit)	$0.4132Sample

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..