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Siehe Technische Spezifikationen

NTZD5110NT1G +BOM

NTZD5110NT1G is a Dual N-CH MOSFET Array with a maximum voltage rating of 60V and a continuous current rating of 294mA

Hersteller:

Onsemi
Herstellerteil #:

NTZD5110NT1G
Datenblatt:

NTZD5110NT1G Datenblatt (PDF)
Compliance:

PbAHP
Case Outline:

463A-01
MSL Type:

1
MSL Temp (°C):

260
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an NTZD5110NT1G

NTZD5110NT1G Allgemeine Beschreibung

Engineered for versatility and reliability, the NTZD5110NT1G is a top choice for automotive and industrial applications. It meets stringent quality standards and offers dependable performance in challenging environments. With a maximum operating temperature of 150°C, this MOSFET can withstand extreme conditions without compromising performance. Its dual N-channel design and 60V drain-source voltage make it suitable for a wide range of power management tasks. The NTZD5110NT1G is a cost-effective solution for designers looking to optimize power efficiency and performance in their electronic designs

Hauptmerkmale

Easy to Use Interface
High Current Output
Fast Response Time
Safe Operating Margin
Overcurrent Protection
Multi-Voltage Compatible

Anwendung

Safety Systems
Motor Drives
Smart Home Technology

Spezifikationen

Status	Active	Compliance	PbAHP
Case Outline	463A-01	MSL Type	1
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL
Container Qty.	4000	ON Target	Y
Channel Polarity	N-Channel	Configuration	Dual
V(BR)DSS Min (V)	60	VGS Max (V)	20
VGS(th) Max (V)	2.5	ID Max (A)	0.31
PD Max (W)	0.28	RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)	Q1=Q2=2500
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)	Q1=Q2=1600	Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)	0.7
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)	0.7	Ciss Typ (pF)	24.5
Pricing ($/Unit)	$0.0609Sample

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