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Siehe Technische Spezifikationen

NVMFS6H801NT1G +BOM

Single N-Channel Power MOSFET 80V , 157 A, 2.8 mΩ

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

NVMFS6H801NT1G
Datenblatt:

NVMFS6H801NT1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

488AA
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

NVMFS6H801NT1G Allgemeine Beschreibung

The NVMFS6H801NT1G Power MOSFET by ON Semiconductor is a cutting-edge solution tailored for automotive applications. With a robust drain-source voltage rating of 40V and a continuous drain current capacity of up to 175A, this MOSFET is engineered to meet the demands of high-power automotive systems. Its utilization of NVM technology sets it apart from conventional MOSFETs, offering superior performance and reliability

Hauptmerkmale

Small Footprint (5x6 mm)
Low R_DS(on)
Low Q_G and Capacitance
NVMFS6H801NWF − Wettable Flank Option
AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
RoHS Compliant

Anwendung

Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
48V systems

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	488AA
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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