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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PBSS3515VS +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PBSS3515VS
Datenblatt:

PBSS3515VS Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Date Of Intro:

2017-02-01
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSS3515VS

PBSS3515VS Allgemeine Beschreibung

PNP low V double transistor in a SOT666 ultra small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS2515VS

Hauptmerkmale

300 mW total power dissipation
Very small 1.6 x 1.2 mm ultra thin package
Self alignment during soldering due to straight leads
Low collector-emitter saturation voltage
High current capability
Improved thermal behavior due to flat leads
Replaces two SC75/SC89 packaged low VCEsat transistors on same PCB area
Reduces required PCB area
Reduced pick and place costs

Anwendung

General purpose switching and muting
Low frequency driver circuits
Audio frequency general purpose amplifier applications
Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices)

Spezifikationen

Source Content uid	PBSS3515VS	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Date Of Intro	2017-02-01	Collector Current-Max (IC)	0.5 A
Collector-Emitter Voltage-Max	15 V	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE)	200	JESD-30 Code	R-PDSO-F6
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	6
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	PNP
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	280 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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