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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PBSM5240PF +BOM

PNP Transistor with N-Channel Trench MOSFET 6-Pin HUSON EP

Hersteller:

Nexperia Semiconductor (NXP)
Herstellerteil #:

PBSM5240PF
Datenblatt:

PBSM5240PF Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSM5240PF

PBSM5240PF Allgemeine Beschreibung

Combination of PNP low V Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench MOSFET. The device is housed in a leadless medium power SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

Hauptmerkmale

Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain (hFE) at high IC
High energy efficiency due to less heat generation
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

Loadswitch
Battery-driven devices
Power management
Charging circuits
Power switches (e.g. motors, fans)

Spezifikationen

Product Category:	MOSFET	Mounting Style:	SMD/SMT
Product Type:	MOSFET	Subcategory:	MOSFETs

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