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Siehe Technische Spezifikationen

PBSS5140T,215 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 1 A 150MHz 450 mW Surface Mount TO-236AB

Hersteller:

Nexperia Semiconductor (NXP)
Herstellerteil #:

PBSS5140T,215
Datenblatt:

PBSS5140T,215 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSS5140T,215

PBSS5140T,215 Allgemeine Beschreibung

PNP low V transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4140T

Hauptmerkmale

Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain (hFE) at high IC
High efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified

Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

General-purpose switching and muting
LCD backlighting
Supply line switching circuits
Battery-driven equipment (mobile phones, video cameras and handheld devices)

Spezifikationen

Product Category:	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style:	SMD/SMT
Transistor Polarity:	PNP	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V	Collector- Base Voltage VCBO:	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage:	500 mV
Maximum DC Collector Current:	1 A	Pd - Power Dissipation:	300 mW
Gain Bandwidth Product fT:	150 MHz	Minimum Operating Temperature:	- 65 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Qualification:	AEC-Q101
Packaging:	MouseReel	Continuous Collector Current:	- 1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	300	DC Current Gain hFE Max:	300 at 1 mA, 5 V
Height:	1 mm	Length:	3 mm
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	Transistors	Technology:	Si
Width:	1.4 mm	Part # Aliases:	934056330215
Unit Weight:	0.000282 oz

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