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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PBSS5350X +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PBSS5350X
Datenblatt:

PBSS5350X Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Date Of Intro:

2017-02-01

PBSS5350X Allgemeine Beschreibung

PNP low V transistor in a SOT89 plastic package.NPN complement: PBSS4350X

Hauptmerkmale

SOT89 (SC-62) package
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability: IC and ICM
Higher efficiency leading to less heat generation
Reduced printed-circuit board requirements
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Power managementDC/DC convertersSupply line switchingBattery chargerLCD backlighting
DC/DC converters
Supply line switching
Battery charger
LCD backlighting
Peripheral driversDriver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)
Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)

Spezifikationen

Source Content uid	PBSS5350X	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Date Of Intro	2017-02-01	Case Connection	COLLECTOR
Collector Current-Max (IC)	3 A	Collector-Base Capacitance-Max	35 pF
Collector-Emitter Voltage-Max	50 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	80	JESD-30 Code	R-PSSO-F3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-65 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	PNP
Power Dissipation-Max (Abs)	1.6 W	Reference Standard	AEC-Q101; IEC-60134
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	100 MHz
VCEsat-Max	0.39 V

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