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Siehe Technische Spezifikationen

PBHV9050T,215 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 500 V 150 mA 50MHz 300 mW Surface Mount TO-236AB

Hersteller:

Nexperia Semiconductor (NXP)
Herstellerteil #:

PBHV9050T,215
Datenblatt:

PBHV9050T,215 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

500 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBHV9050T,215

PBHV9050T,215 Allgemeine Beschreibung

PNP high-voltage low V transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PMBTA45

Hauptmerkmale

High voltage
Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain (hFE) at high IC
AEC-Q101 qualified

Nexperia Semiconductor (NXP) Originalbestand

Anwendung

Electronic ballasts
LED driver for LED chain module
LCD backlighting
Automotive motor management
Flyback converters
Hook switch for wired telecom
Switch Mode Power Supply (SMPS)

Spezifikationen

Product Category:	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style:	SMD/SMT
Transistor Polarity:	PNP	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	500 V	Collector- Base Voltage VCBO:	500 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage:	115 mV
Maximum DC Collector Current:	150 mA	Pd - Power Dissipation:	300 mW
Gain Bandwidth Product fT:	50 MHz	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Qualification:	AEC-Q101
Packaging:	MouseReel	Continuous Collector Current:	- 150 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	80	DC Current Gain hFE Max:	300
Height:	1 mm	Length:	3 mm
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	Transistors	Technology:	Si
Width:	1.4 mm	Part # Aliases:	934063607215
Unit Weight:	0.035274 oz

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