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PBSS4041NT +BOM

Introducing PBSS4041NT, the pinnacle of innovation in Bipolar Junction Transistors (BJT) realm

Hauptmerkmale

  • Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • High energy efficiency due to less heat generation
  • AEC-Q101 qualified
  • Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Spezifikationen

Source Content uid PBSS4041NT Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Date Of Intro 2017-02-01 Moisture Sensitivity Level 1
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Terminal Finish TIN
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30

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