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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PBSS4140T +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PBSS4140T
Datenblatt:

PBSS4140T Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

1 A
Configuration:

SINGLE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSS4140T

PBSS4140T Allgemeine Beschreibung

NPN low V transistor in a SOT23 plastic package. PNP complement: PBSS5140T.

Hauptmerkmale

Low collector-emitter saturation voltage
High current capabilities.
Improved device reliability due to reduced heat generation.
AEC-Q101 qualified

Anwendung

General purpose switching and muting
LCD backlighting
Supply line switching circuits
Battery driven equipment (mobile phones, video cameras and hand-held devices).

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Collector Current-Max (IC)	1 A
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	300
Number of Elements	1	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W	Surface Mount	NO
Transition Frequency-Nom (fT)	150 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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