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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PBSS4160DPN +BOM

Bipolar transistor for low power applications

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PBSS4160DPN
Datenblatt:

PBSS4160DPN Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
Date Of Intro:

2017-02-01
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSS4160DPN

Hauptmerkmale

Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability: IC and ICM
High collector current gain (hFE) at high IC
High efficiency due to less heat generation
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Spezifikationen

Source Content uid	PBSS4160DPN	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Date Of Intro	2017-02-01	Application	SWITCHING
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS	DC Current Gain-Min (hFE)	250
JESD-30 Code	R-PDSO-G6	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	6
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	NPN AND PNP
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Element Material	SILICON

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