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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PBSS5140T +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PBSS5140T
Datenblatt:

PBSS5140T Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
ECCN Code:

EAR99
Collector Current-Max (IC):

1 A
Configuration:

SINGLE
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSS5140T

PBSS5140T Allgemeine Beschreibung

PNP low V transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4140T

Hauptmerkmale

Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain (hFE) at high IC
High efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified

Anwendung

General-purpose switching and muting
LCD backlighting
Supply line switching circuits
Battery-driven equipment (mobile phones, video cameras and handheld devices)

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Collector Current-Max (IC)	1 A
Configuration	SINGLE	DC Current Gain-Min (hFE)	300
JESD-609 Code	e3	Number of Elements	1
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	PNP	Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Transition Frequency-Nom (fT)	150 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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