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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

PBSS5160DS +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Hersteller:

NXP
Herstellerteil #:

PBSS5160DS
Datenblatt:

PBSS5160DS Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

6
Reach Compliance Code:

compliant
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an PBSS5160DS

PBSS5160DS Allgemeine Beschreibung

PNP/PNP low V Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor pair in a small SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: PBSS4160DS.

Hauptmerkmale

Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
High collector current capability IC and ICM
High collector current gain (hFE) at high IC
High efficiency due to less heat generation
Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
AEC-Q101 qualified

Anwendung

Dual low power switches (e.g. motors, fans)
Automotive applications

Spezifikationen

Source Content uid	PBSS5160DS	Part Life Cycle Code	Transferred
Pin Count	6	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Collector Current-Max (IC)	1 A
Collector-Emitter Voltage-Max	60 V	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS
DC Current Gain-Min (hFE)	200	JESD-30 Code	R-PDSO-G6
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	6
Operating Temperature-Max	150 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	PNP	Power Dissipation-Max (Abs)	0.45 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	Tin (Sn)	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	220 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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