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PBSS8110Z +BOM

Bipolar Transistors - BJT

PBSS8110Z Allgemeine Beschreibung

NPN low V Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS9110Z.

Hauptmerkmale

  • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
  • High collector current capability IC and ICM
  • High collector current gain (hFE) at high IC
  • High efficiency due to less heat generation
  • Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
  • AEC-Q101 qualified

Anwendung

  • High-voltage DC-to-DC conversion
  • High-voltage MOSFET gate driving
  • High-voltage motor control
  • High-voltage power switches (e.g. motors, fans)
  • Automotive applications

Spezifikationen

Source Content uid PBSS8110Z Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Transferred Pin Count 4
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Case Connection COLLECTOR Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-Emitter Voltage-Max 100 V Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 150 JESD-30 Code R-PDSO-G4
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 4
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type NPN Power Dissipation-Max (Abs) 1.4 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish Tin (Sn) Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 100 MHz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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