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Siehe Technische Spezifikationen

SCT055HU65G3AG +BOM

N-Channel 650 V 30A (Tc) 185W (Tc) Surface Mount HU3PAK

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

SCT055HU65G3AG
Datenblatt:

SCT055HU65G3AG Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tape and Reel

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SCT055HU65G3AG Allgemeine Beschreibung

Elevate your power conversion systems with the SCT055HU65G3AG - a high-power, high-frequency silicon carbide MOSFET designed to meet the demands of modern industrial and automotive applications. With a voltage rating of 650V and a maximum continuous drain current rating of 55A, this MOSFET is built to handle substantial power distribution with ease. Its ability to operate at temperatures up to 175°C sets it apart from traditional silicon-based devices, making it the go-to choice for environments where reliable performance is non-negotiable. Housed in a TO-247 package, the SCT055HU65G3AG offers unparalleled robustness and reliability, ensuring consistent operation in even the most challenging conditions. Factor in its low on-state resistance, and you have a MOSFET that delivers high-efficiency power conversion while minimizing power losses - an ideal solution for critical applications where efficiency and reliability are paramount

Hauptmerkmale

AEC-Q101 qualified
Very low R_DS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tape and Reel
Temperature (°C) min	-	Temperature (°C) max	-

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