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Siehe Technische Spezifikationen

SCTH100N65G2-7AG +BOM

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 95 A in an H2PAK-7 package

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

SCTH100N65G2-7AG
Datenblatt:

SCTH100N65G2-7AG Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tape and Reel

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SCTH100N65G2-7AG Allgemeine Beschreibung

Introducing our latest innovation, the SCTH100N65G2-7AG silicon carbide Power MOSFET. Engineered with ST's cutting-edge 2nd generation SiC MOSFET technology, this device boasts an impressively low on-resistance per unit area and exceptional switching performance. Whether you're looking for superior efficiency or reliable operation, this MOSFET delivers on all fronts

Hauptmerkmale

AEC-Q101 qualified
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tape and Reel
Temperature (°C) min	-	Temperature (°C) max	-

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