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Siehe Technische Spezifikationen

SCTW35N65G2VAG +BOM

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 package

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

SCTW35N65G2VAG
Datenblatt:

SCTW35N65G2VAG Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tube

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SCTW35N65G2VAG Allgemeine Beschreibung

The SCTW35N65G2VAG is a cutting-edge silicon carbide Power MOSFET that boasts ST's latest 2nd generation SiC MOSFET technology. This device offers an incredibly low on-resistance per unit area and superior switching performance, setting it apart from other power MOSFETs on the market. What makes this device truly stand out is its ability to maintain consistent switching loss regardless of junction temperature, ensuring reliable and efficient performance in various operating conditions

Hauptmerkmale

Robust and fast switching performance
High power dissipation
Low electromagnetic interference
High isolation voltage

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tube
Temperature (°C) min	-	Temperature (°C) max	-

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