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Siehe Technische Spezifikationen

SCTW60N120G2AG +BOM

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mOhm typ., 52 A in an HiP247 package

Hersteller:

STMicroelectronics, Inc
Herstellerteil #:

SCTW60N120G2AG
Datenblatt:

SCTW60N120G2AG Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
ECCN (EU):

NEC
Packing Type:

Tube

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SCTW60N120G2AG Allgemeine Beschreibung

Elevate your power electronics designs with the SCTW60N120G2AG, a silicon carbide Power MOSFET that sets a new standard for efficiency and performance. By capitalizing on the unique characteristics of wide bandgap materials, this device offers unmatched on-resistance per unit area and exceptional switching capabilities that are virtually unaffected by temperature variations. The superior thermal properties of the SiC material enable designers to incorporate an industry-standard outline with significantly enhanced thermal performance. Whether you're working on high-efficiency applications or high power density projects, this MOSFET is engineered to deliver outstanding results and reliability

Hauptmerkmale

AEC-Q101 qualified
High speed switching performance
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitances
Very high operating junction temperature capability (T_J = 200 °C)

Spezifikationen

Marketing Status	Active	ECCN (US)	EAR99
ECCN (EU)	NEC	Packing Type	Tube
Temperature (°C) min	-	Temperature (°C) max	-

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