Bezahlverfahren
SCTWA40N120G2AG +BOM
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247 long leads package
HIP247-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
SCTWA40N120G2AG
-
Datenblatt:
-
ECCN (US):
EAR99
-
ECCN (EU):
NEC
-
Packing Type:
Tube
Verfügbarkeit: 5411 Stck
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SCTWA40N120G2AG Allgemeine Beschreibung
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Hauptmerkmale
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
Spezifikationen
Marketing Status | Active | ECCN (US) | EAR99 |
ECCN (EU) | NEC | Packing Type | Tube |
Temperature (°C) min | - | Temperature (°C) max | - |
Servicerichtlinien und andere
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
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In Stock: 5.411
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | - | - |
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