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Siehe Technische Spezifikationen

SCT30N120 +BOM

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package

Hersteller:

Stmicroelectronics
Herstellerteil #:

SCT30N120
Datenblatt:

SCT30N120 Datenblatt (PDF)
ECCN US:

EAR99
ECCN EU:

NEC
Packing Type:

Tube
Grade:

Industrial

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

SCT30N120 Allgemeine Beschreibung

The SCT30N120 silicon carbide Power MOSFET redefines power management with its breakthrough technology and innovative design. Leveraging the unique characteristics of wide bandgap materials, this device offers unmatched on-resistance per unit area and exceptional switching performance that remains stable even in extreme temperature variations. The use of silicon carbide guarantees superior thermal properties, while the HiP247™ package enhances thermal dissipation, allowing for industry-leading thermal capability in a standard package footprint. Ideal for high-efficiency and high power density applications, the SCT30N120 empowers designers to achieve optimal performance and reliability in their power electronics systems

Hauptmerkmale

Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Very high operating temperature capability (T_J = 200 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance

Spezifikationen

ECCN US	EAR99	ECCN EU	NEC
Packing Type	Tube	Grade	Industrial

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