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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI1967DH-T1-GE3 +BOM

SC70-6 MOSFET with -20V Vds and 8V Vgs ratings

Hersteller:

VISHAY SILICONIX
Herstellerteil #:

SI1967DH-T1-GE3
Datenblatt:

SI1967DH-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

6
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI1967DH-T1-GE3

SI1967DH-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

Mosfet Array 20V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6

Hauptmerkmale

Halogen-free
PWM optimized

Anwendung

Industrial
Portable Devices
Power Management

Spezifikationen

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	6	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	20 V	Drain Current-Max (Abs) (ID)	1.3 A
Drain Current-Max (ID)	1 A	Drain-source On Resistance-Max	0.49 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G6
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	2	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	1.25 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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