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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI2301CDS-T1-E3 +BOM

Bulk packaging P Channel Power MOSFET with 20 V voltage rating and 3.1 A current rating

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

SI2301CDS-T1-E3
Datenblatt:

SI2301CDS-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hauptmerkmale

Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

Anwendung

Power Management

Spezifikationen

Series	TrenchFET®	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.1A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112mOhm @ 2.8A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	405 pF @ 10 V	Power Dissipation (Max)	860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI2301

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