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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

SI2312BDS-T1-GE3 +BOM

High-performance transistor suitable for various electronic devices

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

SI2312BDS-T1-GE3
Datenblatt:

SI2312BDS-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

20 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

Additionally, the MSL (Moisture Sensitivity Level) rating of this transistor is unspecified, meaning careful handling and storage may be necessary to prevent moisture-related damage during transportation and storage

Hauptmerkmale

Advanced trench process technology
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

Spezifikationen

Series	TrenchFET®	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.9A (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 5A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±8V
Power Dissipation (Max)	750mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	SI2312

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