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Siehe Technische Spezifikationen

SI2314EDS-T1-E3 +BOM

SI2314EDS-T1-E3 MOSFET 20V 3.77A

Hersteller:

VISHAY SILICONIX
Herstellerteil #:

SI2314EDS-T1-E3
Datenblatt:

SI2314EDS-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2314EDS-T1-E3

SI2314EDS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 20 V 3.77A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hauptmerkmale

Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
TrenchFET® Power MOSFET
ESD Protected: 3000 V
APPLICATIONS
LI-lon Battery Protection

Spezifikationen

Product Category:	MOSFET	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	20 V
Id - Continuous Drain Current:	3.77 A	Rds On - Drain-Source Resistance:	33 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	950 mV
Qg - Gate Charge:	11 nC	Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Pd - Power Dissipation:	750 mW
Channel Mode:	Enhancement	Tradename:	TrenchFET
Series:	SI2	Packaging:	MouseReel
Configuration:	Single	Fall Time:	5.9 us
Forward Transconductance - Min:	40 S	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	1.4 us	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	MOSFETs	Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	13.5 us	Typical Turn-On Delay Time:	0.53 us
Part # Aliases:	SI2314EDS-E3	Unit Weight:	0.000282 oz

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