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Siehe Technische Spezifikationen

SI2333CDS-T1-E3 +BOM

SI2333CDS-T1-E3 is a P Channel SOT-23 MOSFET with a voltage rating of 12V and a current rating of 7.1A at 35mΩ resistance

Hersteller:

Vishay Siliconix
Herstellerteil #:

SI2333CDS-T1-E3
Datenblatt:

SI2333CDS-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Series:

TrenchFET®
FET Type:

P-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

12 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

P-Channel 12 V 7.1A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Hauptmerkmale

Wide operating temperature range
High surge current
Durable and reliable

Spezifikationen

Series	TrenchFET®	FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.1A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 5.1A, 4.5V	Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1225 pF @ 6 V	Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	SI2333

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