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SI2333DS-T1-GE3 +BOM

Reel-packaged P-Channel MOSFET transistor in SOT-23 configuration, rated for 12V and 4.1A operations

SI2333DS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

TRANSISTOR 4100 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

Hauptmerkmale

  • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available
  • TrenchFET® Power MOSFET

Spezifikationen

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Not Recommended
Pin Count 3 Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99 Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 12 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.1 A
Drain Current-Max (ID) 4.1 A Drain-source On Resistance-Max 0.032 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 300 pF
JEDEC-95 Code TO-236AB JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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