Bezahlverfahren
SI2369BDS-T1-GE3 +BOM
MOSFET P-Channel -30V -7.5A 2.5W
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3-
Hersteller:
Vishay Siliconix
-
Herstellerteil #:
SI2369BDS-T1-GE3
-
Datenblatt:
-
Series:
TrenchFET® Gen IV
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FET Type:
P-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
30 V
-
EDA/CAD Modelle:
All bill of materials (BOM) can be sent via email to [email protected], or fill below form to Quote for SI2369BDS-T1-GE3, guaranteed quotes back within 12hr.
Verfügbarkeit: 7995 Stck
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SI2369BDS-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
P-Channel 30 V 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Hauptmerkmale
- High-speed switching capabilities
- Pulse width modulation controller
- Silicon carbide based rectifier
- Fast recovery diode integrated circuit
- Radar frequency generator module
- Illumination driver IC for automotive applications
Spezifikationen
Series | TrenchFET® Gen IV | FET Type | P-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V | Vgs (Max) | +16V, -20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 745 pF @ 15 V | Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | SI2369 |
Servicerichtlinien und andere
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