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Siehe Technische Spezifikationen

SMMUN2211LT1G +BOM

NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)

Hersteller:

ON Semiconductor, LLC
Herstellerteil #:

SMMUN2211LT1G
Datenblatt:

SMMUN2211LT1G Datenblatt (PDF)
Case Outline:

318-08
MSL Temp (°C):

260
Container Type:

REEL
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an SMMUN2211LT1G

SMMUN2211LT1G Allgemeine Beschreibung

The SMMUN2211LT1G product is a revolutionary digital transistor that simplifies circuit design by integrating a single transistor with a built-in bias network. This Bias Resistor Transistor (BRT) eliminates the need for external resistors typically required in traditional transistor applications. By combining the base resistor and base-emitter resistor into one compact device, the BRT offers significant cost and space savings for electronic systems

Hauptmerkmale

Increases Circuit Performance
Reduces Power Consumption
Enhances System Reliability

Spezifikationen

Status	Active	Case Outline	318-08
MSL Temp (°C)	260	Container Type	REEL

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