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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TSM2301ACX +BOM

-20V, -2.8A P-Channel Power MOSFET ideal for high-power circuitry

Hersteller:

Taiwan Semiconductor
Herstellerteil #:

TSM2301ACX
Datenblatt:

TSM2301ACX Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TSM2301ACX

Hauptmerkmale

Compatible with Automatic Placement Equipment
Packaged in 12.0mm Tape on 7” Diameter Reels
Surface Mount LED Lamp
Long Life Solid State Reliability

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	2.8 A	Rds On - Drain-Source Resistance	90 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	600 mV
Qg - Gate Charge	7.2 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	700 mW
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	5 ns	Product Type	MOSFET
Rise Time	25 ns	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Type	P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	43 ns	Typical Turn-On Delay Time	38 ns
Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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