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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TSM2318CX +BOM

40V N-channel MOSFET, product code TSM2318CX

Hersteller:

Taiwan Semiconductor
Herstellerteil #:

TSM2318CX
Datenblatt:

TSM2318CX Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TSM2318CX

Hauptmerkmale

Compatible with Automatic Placement Equipment
Packaged in 12.0mm Tape on 7” Diameter Reels
Surface Mount LED Lamp
Long Life Solid State Reliability

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	3.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	36 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	10 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.25 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	15 ns	Forward Transconductance - Min	11 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	12 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns	Typical Turn-On Delay Time	5 ns
Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..