Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TSM320N03CX +BOM

N-Channel Power MOSFET with 30V and 5.5A capacity

Hersteller:

Taiwan Semiconductor
Herstellerteil #:

TSM320N03CX
Datenblatt:

TSM320N03CX Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TSM320N03CX

TSM320N03CX Allgemeine Beschreibung

The TSM320N03CX is the go-to N-channel power MOSFET for applications requiring high power density and efficient power management. With a maximum drain-source voltage of 30V and a continuous drain current of 5.4A, this MOSFET provides the performance needed for voltage regulation, load switching, motor control, and power conversion. Its low on-state resistance of 50mohm minimizes power losses and improves efficiency, while its fast switching speed and low gate charge make it suitable for high-frequency switching applications. Housed in a compact PG-TSON-8 package, it is designed for space-constrained applications where superior power density is a must. Plus, its RoHS compliance ensures that it aligns with environmental regulations, making it a responsible choice for modern designs

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	5.5 A	Rds On - Drain-Source Resistance	27 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	400 mV
Qg - Gate Charge	8.9 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.8 W, 1 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	28 ns	Forward Transconductance - Min	9.5 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	32 ns
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	19 ns	Typical Turn-On Delay Time	5.8 ns
Unit Weight	0.000282 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..