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UF3C065030K4S +BOM
Silicon Carbide FET capable of handling 650 volts and offering a resistance of 27 milliohms
TO-247-4-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
UF3C065030K4S
-
Datenblatt:
-
Technology:
SiC
-
Mounting Style:
Through Hole
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Transistor Polarity:
N-Channel
-
Number Of Channels:
1 Channel
-
EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 7072 Stck
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UF3C065030K4S Allgemeine Beschreibung
The UF3C065030K4S from UnitedSiC represents a significant leap forward in power semiconductor technology. Its high voltage rating, low on-resistance, and enhanced thermal management capabilities make it an ideal choice for high-power applications where efficiency and reliability are crucial. Whether it's powering motor drives, electric vehicles, or renewable energy systems, the UF3C065030K4S stands out as a top performer in the field of SiC power devices
Spezifikationen
Product Category | MOSFET | Technology | SiC |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Id - Continuous Drain Current | 85 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 35 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Qg - Gate Charge | 51 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 441 W |
Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
Tradename | SiC FET | Series | UF3C |
Configuration | Single | Fall Time | 12 ns |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 31 ns |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 48 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 25 ns | Unit Weight | 0.211644 oz |
Servicerichtlinien und andere
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