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UF3C065040B3 +BOM
A 650-volt silicon carbide FET featuring a low resistance of 42 milliohms
D2PAK-3-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
UF3C065040B3
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Datenblatt:
-
Technology:
SiC
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Mounting Style:
SMD/SMT
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Transistor Polarity:
N-Channel
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Number Of Channels:
1 Channel
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 7072 Stck
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UF3C065040B3 Allgemeine Beschreibung
In a world where efficiency and reliability are of utmost importance, the UF3C065040B3 power MOSFET stands out as a true innovation. Its state-of-the-art design, utilizing UnitedSiC's Gen 3 SiC technology, ensures optimal performance in demanding environments. With a focus on reducing conduction losses and improving thermal performance, this MOSFET is poised to revolutionize high-power applications across industries. The UF3C065040B3 is a testament to UnitedSiC's dedication to pushing the boundaries of what is possible in power electronics
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Product Category | MOSFET | Technology | SiC |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
Id - Continuous Drain Current | 41 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 52 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Qg - Gate Charge | 51 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 176 W |
Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
Tradename | SiC FET | Series | UF3C |
Configuration | Single | Product Type | MOSFET |
Factory Pack Quantity | 800 | Subcategory | MOSFETs |
Unit Weight | 0.085158 oz |
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