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UJ3C120080K3S is a TO-247 packaged semiconductor offering a maximum voltage of 1.2KV and a current handling capacity of 33A
TO-247-3Hersteller:
Herstellerteil #:
UJ3C120080K3S
Datenblatt:
FET Type:
N-Channel
Technology:
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain To Source Voltage (Vdss):
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
33A (Tc)
EDA/CAD Modelle:
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Featuring a three-phase common cathode configuration, the UJ3C120080K3S is designed for seamless integration into three-phase applications, providing robust performance even under transient conditions with a surge current capability of up to 800A. The module's wide operating temperature range of -40°C to 175°C makes it suitable for use in harsh environments, and its compliance with industry-standard JEDEC J-STD-020D.1 requirements for moisture sensitivity guarantees reliable operation in diverse conditions
FET Type | N-Channel | Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 12V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 15 V |
Vgs (Max) | ±25V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
Power Dissipation (Max) | 254.2W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | UJ3C120080 |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
UJ4C075018K4S
Qorvo
750V, 18mOhm, 81A, SiC FET, CASCODE, G4, TO-247-4L, AEC-Q101, 175 Deg C
UJ4SC075006K4S
Qorvo
SICFET 750V/6mΩ Junction Field-Effect Transistor G4 Package
UF3SC120009K4S
QORVO
1200V SiC FET featuring an On-Resistance of 8.6 milliohms
UF3SC065007K4S
Qorvo
Characteristics: Suitable for applications requiring high power efficiency and reliability
UJ4C075018K3S
Qorvo
ROHS compliant 12V and 6V MOSFETs