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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

UJ4C075060K3S +BOM

SiC FET rated at 750 volts and 58 milliwatts

Hersteller:

Qorvo
Herstellerteil #:

UJ4C075060K3S
Datenblatt:

UJ4C075060K3S Datenblatt (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an UJ4C075060K3S

UJ4C075060K3S Allgemeine Beschreibung

N-Channel 750 V 28A (Tc) 155W (Tc) Through Hole TO-247-3

Spezifikationen

Product Category	JFET	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Configuration	Single	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	750 V
Id - Continuous Drain Current	28 A	Rds On - Drain-Source Resistance	74 mOhms
Pd - Power Dissipation	155 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Series	UJ4C
Qualification	AEC-Q101	Product Type	JFETs
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	Transistors
Tradename	SiC FET	Unit Weight	0.211644 oz

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