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JFET 750V/44mO,SICFET,G4,TO247-4
TO-247-4Hersteller:
Herstellerteil #:
UJ4C075044K4S
Datenblatt:
Technology:
SiC
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
750 V
EDA/CAD Modelle:
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N-Channel 750 V 37.4A (Tc) 203W (Tc) Through Hole TO-247-4
Product Category | JFET | Technology | SiC |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 750 V | Id - Continuous Drain Current | 37.4 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 44 mOhms | Pd - Power Dissipation | 203 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Series | UJ4C | Qualification | AEC-Q101 |
Product Type | JFETs | Factory Pack Quantity | 30 |
Subcategory | Transistors |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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Qualitätsgarantie
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Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
UJ4C075018K4S
Qorvo
750V, 18mOhm, 81A, SiC FET, CASCODE, G4, TO-247-4L, AEC-Q101, 175 Deg C
UJ4SC075006K4S
Qorvo
SICFET 750V/6mΩ Junction Field-Effect Transistor G4 Package
UF3SC120009K4S
QORVO
1200V SiC FET featuring an On-Resistance of 8.6 milliohms
UF3SC065007K4S
Qorvo
Characteristics: Suitable for applications requiring high power efficiency and reliability
UJ4C075018K3S
Qorvo
ROHS compliant 12V and 6V MOSFETs