Bezahlverfahren
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Advanced SiC cascode design for efficient power conversion and reliabilit
TOLLHersteller:
Herstellerteil #:
UJ4SC075008L8S
Datenblatt:
Technology:
SiC
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
[email protected],
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N-Channel 750 V 106A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount TOLL
Product Category | MOSFET | Technology | SiC |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 750 V |
Id - Continuous Drain Current | 106 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 8 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5.5 V |
Qg - Gate Charge | 75 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 600 W |
Channel Mode | Enhancement | Product Type | MOSFET |
Subcategory | MOSFETs |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
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[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.
UJ4C075018K4S
Qorvo
750V, 18mOhm, 81A, SiC FET, CASCODE, G4, TO-247-4L, AEC-Q101, 175 Deg C
UJ4SC075006K4S
Qorvo
SICFET 750V/6mΩ Junction Field-Effect Transistor G4 Package
UF3SC120009K4S
QORVO
1200V SiC FET featuring an On-Resistance of 8.6 milliohms
UF3SC065007K4S
Qorvo
Characteristics: Suitable for applications requiring high power efficiency and reliability
UJ4C075018K3S
Qorvo
ROHS compliant 12V and 6V MOSFETs