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Siehe Technische Spezifikationen

UMF5N +BOM

Bipolar Transistors - Pre-Biased

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

UMF5N
Datenblatt:

UMF5N Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V, 12V
Resistor - Base (R1):

47kOhms
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an UMF5N

UMF5N Allgemeine Beschreibung

Devices integrating twotransistors are availablein ultra-compact packages, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators, driver ICs and so forth.

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased	Series	-
Transistor Type	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V, 12V	Resistor - Base (R1)	47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47kOhms	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA	Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Frequency - Transition	250MHz, 260MHz	Power - Max	150mW
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	UMF5
Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Subcategory	Transistors	Part # Aliases	UMF5NTR

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