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Siehe Technische Spezifikationen

UMZ1NFHATR +BOM

Reliable bipolar junction transistors

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

UMZ1NFHATR
Datenblatt:

UMZ1NFHATR Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:

NPN, PNP
Current - Collector (Ic) (Max):

150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an UMZ1NFHATR

UMZ1NFHATR Allgemeine Beschreibung

Engineered for performance, the UMZ1NFHATR product delivers high-quality results in a compact package. Whether you are designing audio amplifiers, radio frequency circuits, or motor control systems, this component provides the versatility and performance needed for a wide range of applications. With its integrated transistors, this product simplifies circuit design and offers engineers a reliable solution for their electronic projects

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays	Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	NPN, PNP	Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
Power - Max	150mW	Frequency - Transition	180MHz, 140MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	UMZ1

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