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Siehe Technische Spezifikationen

UMX1NFHATN +BOM

Transistor with NPN polarity, suitable for automotive use with a maximum power dissipation of 150mW in a 6-pin UMT package

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

UMX1NFHATN
Datenblatt:

UMX1NFHATN Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:

2 NPN (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

50V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an UMX1NFHATN

UMX1NFHATN Allgemeine Beschreibung

Don't let limited space hold back your electronics projects. With product UMX1NFHATN, you can have the power of two transistors in a compact package. Perfect for applications like differential amplification circuits and high-frequency oscillators, this device offers high performance in a small size

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Bipolar Transistor Arrays	Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	2 NPN (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 6V
Power - Max	150mW	Frequency - Transition	180MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	UMX1

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