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Siehe Technische Spezifikationen

VN3205N8-G +BOM

MOSFET, N-Channel Enhancement-Mode, 50V, 0.3 Ohm.

Hersteller:

Microchip Technology, Inc
Herstellerteil #:

VN3205N8-G
Datenblatt:

VN3205N8-G Datenblatt (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

50 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

1.5A (Tj)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an VN3205N8-G

VN3205N8-G Allgemeine Beschreibung

The VN3205N8-G is an enhancement-mode transistor that stands out for its vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. These features give the transistor the power handling capabilities of bipolar transistors, along with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. One of the key advantages of this device is its freedom from thermal runaway and thermally induced secondary breakdown, a characteristic common to all MOS structures

Hauptmerkmale

High-speed digital interface support
Robustness against power supply noise
Simplified design for reduced maintenance

Microchip Technology, Inc Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	-
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.5A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 10mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	300 pF @ 25 V	FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	1.6W (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	VN3205

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Bewertungen und Rezensionen

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J**n 06.29.2023

Not as described on photos. No values on the box. You have to prepare it youself. Otherwise good product. Values on components. Contacted seller about this without result. With values on the box I would have given 5 stars.

B**n 11.12.2021

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Z**r 06.30.2021

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W**t 06.06.2021

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